مگنتوالکترونیک انقلابی در تکنولوژی سنسورها و حافظه کامپیوتر بوجود آورده است.حافظه‌های مغناطیسی نظیر MRAM میتوانند جایگزین حافظه و Hard Disk شوند.

در اوایل دهه 1990 دو دانشمند یکی آلمانی بنام Peter Gruenberg و دیگری فرانسوی بنام Albert Fert بطور جداگانه از هم توانستند با استفاده از Spin و خاصیت مغناطیسی الکترون جریان الکتریکی را در لایه‌های نانومتری با میدان مغناطیسی تحت کنترل درآورند و دو پدیده را یافتند یکی بنامGiant Magneto-Resistancet ویا GMR و دیگری بنام Tunneling Magneto-Resistance ویا TMR که این دو اختراع آنها برنده جایزه نوبل فیزیک سال 2007 شد و بر پایه‌ی آن سنسورها و حافظه‌های مگنتوالکترونیکی و سایر چیپ‌های بسیار پیشرفته ساخته شده است.

انجمن علمی دانشکده‌ی مهندسی کامپیوتر با هدف آشنایی علاقه‌مندان با این موضوع، این سمینار علمی را در تاریخ 20 اسفند 1396 در ساعات 13:30 الی 15:00 در اتاق دفاعیه دانشکده‌ی کامپیوتر واقع در طبقه‌ی دوم  برگزار خواهد نمود.

 این سمینار با سخنرانی دکتر صوفی‌زاده، از پژوهشگران در این حوزه انجام خواهدشد.